【图文简介】图1谷相关倍频选择规则和圆偏振分辨倍频光谱a-c)分别在单层、信安芯产AA堆叠双层WSe2和AA堆叠WS2/MoS2异质结构中谷相关SHG选择规则的示意图。因此,大实现研究多层谷依赖SHG极化效应,获得具有强SHG信号和大偏振度的材料具有重要意义。这种高偏振度强倍频的实现,业化可能为基于二维半导体的非线性光学谷电子学器件提供一个新的平台。
突破σ+发射强度明显高于σ-发射强度。为了在二维TMDCs中增强SHG,电网具有对称破缺的二维层状,如AA叠加、3R相位和螺旋结构已有研究。
【研究背景】2D过渡金属硫族化合物(2D-TMDC)具有独特的谷相关光学和光电性质,电中国是一种很有应用前景的valleytronics材料
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